Samsung 990 EVO Plus MZ-V9S2T0 - SSD - verschlüsselt - 2 TB - intern - M.2 2280 - PCIe 5.0 x2 (NVMe)256-Bit-AES - TCG Opal Encryption 2.0
Samsung
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Regulärer Preis:
302,76 €
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Artikelnummer:
19335540000
Hersteller:
Samsung
EAN:
8806095575650
Hersteller-Nr.:
MZ-V9S2T0BW
Produktinformationen "Samsung 990 EVO Plus MZ-V9S2T0 - SSD - verschlüsselt - 2 TB - intern - M.2 2280 - PCIe 5.0 x2 (NVMe)256-Bit-AES - TCG Opal Encryption 2.0"
| Beschreibung | ||||
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Die Samsung 990 EVO Plus ist ein leistungsstarkes internes Solid State-Laufwerk, das mit einer Kapazität von 2 TB die Speicherleistung erhöht. Ausgestattet mit der Samsung V-NAND TLC-Technologie gewährleistet dieses Laufwerk eine Hochgeschwindigkeitsdatenübertragung mit einer internen Datenrate von 7250 MB/s und einer Schreibgeschwindigkeit von 6300 MB/s, was einen nahtlosen Betrieb für anspruchsvolle Anwendungen und die Verwaltung großer Dateien ermöglicht. Mit der Unterstützung von PCI Express 4.0- und 5.0-Schnittstellen erfüllt es verschiedene Systemanforderungen und bietet gleichzeitig Geschwindigkeit und Zuverlässigkeit.
Mit fortschrittlichen Funktionen wie der Intelligent TurboWrite Technology und einem Auto Garbage Collection Algorithmus sorgt die Samsung 990 EVO Plus auch bei hoher Arbeitsbelastung für Effizienz und Haltbarkeit. Mit einer Stoß- und Vibrationsfestigkeit von bis zu 1500 g und einem Temperaturbereich von -40°C bis 85°C ist sie sowohl für private als auch für professionelle Umgebungen geeignet. Diese SSD gewährleistet einen schnellen Datenzugriff und bietet eine Hardwareverschlüsselung für verbesserte Sicherheit, was sie zu einer idealen Wahl für Benutzer macht, die die Systemleistung verbessern möchten. |
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| Hauptmerkmale | ||||
| Produktbeschreibung | Samsung 990 EVO Plus MZ-V9S2T0 - SSD - 2 TB - PCIe 5.0 x2 (NVMe) | |||
| Typ | Solid State Drive - intern | |||
| Kapazität | 2 TB | |||
| Hardwareverschlüsselung | Ja | |||
| Verschlüsselungsalgorithmus | 256-Bit-AES | |||
| NAND-Flash-Speichertyp | TLC (Triple-Level Cell) | |||
| Formfaktor | M.2 2280 | |||
| Schnittstelle | PCIe 5.0 x2 (NVMe) | |||
| Merkmale | Intelligent TurboWrite Technology, Samsung V-NAND TLC Technology, Geräte-Schlafunterstützung, Host Memory Buffer (HMB), TRIM-Unterstützung, Auto Garbage Collection Algorithm, S.M.A.R.T., IEEE 1667 | |||
| Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) | 22.15 mm x 80.15 mm x 2.38 mm | |||
| Gewicht | 9 g | |||
| Ausführliche Details | ||||
| Allgemein | ||||
| Gerätetyp | Solid State Drive - intern | |||
| Kapazität | 2 TB | |||
| Hardwareverschlüsselung | Ja | |||
| Verschlüsselungsalgorithmus | 256-Bit-AES | |||
| NAND-Flash-Speichertyp | TLC (Triple-Level Cell) | |||
| Formfaktor | M.2 2280 | |||
| Schnittstelle | PCIe 5.0 x2 (NVMe) | |||
| Merkmale | Intelligent TurboWrite Technology, Samsung V-NAND TLC Technology, Geräte-Schlafunterstützung, Host Memory Buffer (HMB), TRIM-Unterstützung, Auto Garbage Collection Algorithm, S.M.A.R.T., IEEE 1667 | |||
| Breite | 22.15 mm | |||
| Tiefe | 80.15 mm | |||
| Höhe | 2.38 mm | |||
| Gewicht | 9 g | |||
| Leistung | ||||
| Interner Datendurchsatz | 7250 MBps (lesen)/ 6300 MBps (Schreiben) | |||
| Maximal 4 KB Random Write | 1350000 IOPS | |||
| Maximal 4 KB Random Read | 1000000 IOPS | |||
| Zuverlässigkeit | ||||
| MTBF | 1.500.000 Stunden | |||
| Erweiterung und Konnektivität | ||||
| Kompatibles Schaltfeld | M.2 2280 | |||
| Stromversorgung | ||||
| Energieverbrauch | 4.6 watt (Lesen) 4.2 watt (Schreiben) 60 mW (Standby) 5 mW (Sleep-Modus) |
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| Software & Systemanforderungen | ||||
| Software inbegriffen | Samsung Magician Software | |||
| Verschiedenes | ||||
| Gehäusematerial | Nickelbeschichtung | |||
| Herstellergarantie | ||||
| Service und Support | Begrenzte Garantie - 5 Jahre / 1200 TBW | |||
| Umgebungsbedingungen | ||||
| Min Betriebstemperatur | 0 °C | |||
| Max. Betriebstemperatur | 70 °C | |||
| Schocktoleranz (nicht in Betrieb) | 1500 g @ 0,5 ms | |||
| Vibrationstoleranz (nicht in Betrieb) | 20 g @ 20-2000 Hz | |||
| Technische Daten © 1WorldSync. Technische Änderungen und Irrtümer vorbehalten. | ||||